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Intel：現有快閃記憶體技術可維持十年

上網時間 : 2006年03月15日

英特爾(Intel)快閃記憶體部門策略規劃經理Greg Komoto日前在IDF論壇上表示，目前的快閃記憶體技術將可繼續維持十年，直到2010年後才會出現對「通用記憶體」的需求。他表示，英特爾仍然認為雙向通用記憶體(ovonic unified memory，OUM)，也稱為相變記憶體，是最有前景的非揮發性記憶體替代者。

且OUM甚至超越了另外兩種潛在替代者，即磁性隨機存取記憶體(magnetic RAM，MRAM)或鐵電記憶體(ferro-electric RAM，FeRAM)。Komoto表示，OUM憑借其縮放路徑、成本較低和位元可改變等事實顯示其優勢。

英特爾自2000年與合作夥伴Ovonyx公司合作投入OUM研發。意法半導體(ST)也曾有一段時間授權取得Ovonyx的技術。去年，日本的Elpida Memory也被授權，而韓國的三星電子(Samsung)也將其視為快閃記憶體和DRAM的潛在替代物。

之前英特爾高層曾表示，研發結果已製成了可運作的OUM記憶體，但成本是一大問題。而Komoto表示，目前的研究結果則是OUM的縮放至15奈米。同時，NAND和NOR快閃記憶體技術持續進步，也推動了對非揮發性替代物的需求。

英特爾與Azalea Microelectronics公司在2002年合作開發0.18微米以下的OUM測試晶片。當時英特爾技術和製造中心副總裁和聯合總監Stefan Lai曾表示，該公司將自行開發0.13微米的OUM原型。

而英特爾對OUM的興趣可追溯至35年前，即1970年的9月，該公司的創始人之一Gordon Moore和Energy Conversion Devices公司OUM的發明者在《Electronics》就此一主題合著的一篇技術論文。

(Dylan McGrath)

posted by C.H. Chen @ 7:44 PM