temporary

三星發表32Gb NAND Flash　未來將採40奈米製程生產

（國際新聞中心陳怡均∕綜合外電） 2006/09/12

　三星電子（Samsung Electronics）宣佈最新研發成果，發表NAND型快閃記憶體（Flash）容量倍增的32Gb產品，未來並將導入40奈米製程技術打造該產品，以及最新記憶體PRAM，宣稱儲存速度更上一層樓。

　身為全球NAND型Flash最大供應商的三星，自1999年起便極力研發擴大產品容量，使NAND型Flash容量得以每年倍增的速度增加，三星半導體事業群總裁黃昌圭日前向外界展示32Gb NAND型Flash，容量即較上一款16Gb倍增；三星在2005年10月曾宣佈採用50奈米製程技術推出16Gb的NAND型Flash。

　除此之外，三星並且發表最新非揮發性記憶體PRAM，並且向外界展示512Mb的PRAM原型，該產品主要應用在數位裝置儲存資料速度更快，儲存速度約為傳統Flash的30倍，三星並表示，PRAM未來可望與NOR型Flash一較高下，估計將於2008年問世。

posted by C.H. Chen @ 12:58 AM