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打遍天下無敵手　快閃記憶體難取代

上網時間 : 2006年08月16日

「快閃記憶體萬歲！」──在日前於美國召開的一場快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，市場研究機構Semiconductor Insights記憶體部門的技術經理Geoff MacGillivary表示，快閃記憶體(特別是NAND)至少還能發展三代，因而在可預見的將來都不會需要“通用記憶體(universal memory)”技術。

MacGillivary認為，NAND快閃記憶體技術至少能夠發展到20奈米的“半間距(half-pitch)”節點。這樣的話，就會延遲對FeRAM、MRAM和OUM等“通用記憶體”的需求。他認為“通用記憶體”是用以取代快閃記憶體的，但該技術並不會那麼快達到該目標。

MacGillivary以飛思卡爾(Freesclae)最近發表的MRAM產品(參考連結)為例，指MRAM花了很長一段時間才達到商用化的階段。他說飛思卡爾的MRAM看來並不是為了與快閃記憶體對抗，而會先以嵌入式應用為主。

OUM (Ovonic unified memory)則為一種相變化記憶體，有另一位分析師認為該技術10年內不會實現商業化。而針對FeRAM，Geoff MacGillivary則表示：「FeRAM將擁有一席之地，但似乎尚未達到人們的期望水準。」


(Mark LaPedus)

posted by C.H. Chen @ 7:54 PM