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飛思卡爾推出商用MRAM技術

上網時間 : 2006年07月13日

飛思卡爾半導體(Freescale)日前發表首款商用磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)元件，並已投入量產。

這款名為MR2A16A的飛思卡爾首創商用MRAM產品，非常適合用於網路、安全、資料儲存、娛樂遊戲及印表機等多種商業應用。該元件在設計上，便是希望成為可靠、經濟的單一元件，以取代使用電池驅動的SRAM裝置。本元件也可用於緩衝記憶體、組態儲存記憶體，以及各種需要高速、彈性及非揮發性MRAM的應用。

MR2A16A是一款適合商用溫度範圍、3.3伏特的元件，其讀寫循環僅需35奈秒。它屬於非同步式記憶體，其結構係以每16位元為一單位、總共256K字。其符合業界標準的SRAM腳位安排，可增加系統設計的彈性、而不會發生匯流排衝突的情形。該元件採用400毫米的TSOP type-II RoHS封裝。

飛思卡爾的4百萬位元MRAM產品是一款耐用性極佳的高速非揮發性記憶體，係以一百多項飛思卡爾的MRAM專利技術為基礎，其中也包括了交替位元轉換(toggle-bit switching)技術。MRAM將磁性材質與傳統矽晶電路結合，在單一元件中提供具備SRAM速度等級的非揮發性快閃記憶體，可使新一代的電子產品在尺寸、成本、功率消耗及系統性能上獲致重大的進展。

posted by C.H. Chen @ 8:35 PM