夏普、松下居日本液晶、PDP專利件數之冠
（國際新聞中心蔡韋羽∕綜合外電） 2006/09/12
據日本技術貿易智庫IP總研統計自1996年至2004年日本各液晶、電漿顯示器（PDP）廠提出的專利件數數據指出，在液晶領域專利件數為廠商之冠的是夏普（Sharp）；PDP相關領域專利件數最多的廠商則是松下電器（Matsushita Electric）。
據統計，松下電器自2001年為止，每年提出400件以上的液晶相關專利，1999～2001年的3年間專利件數為業界之最，然自2002年之後專利件數急速下滑。另一家日廠東芝（Toshiba）亦然。而1996～2004年間，夏普急起直追，每年提出400～500件的液晶相關專利，自2002年起專利件數已高居業者之冠。另一方面，與三星電子（Samsung Electronics）合設TFT LCD面板廠的Sony，液晶相關專利件數則出現緩步成長。
至於松下電器與東芝於2002年4月合資設立的東芝松下Display（TMD），2002年提出的專利件數僅39件，至2003年增為188件，2004年達202件。
PDP相關專利方面，2002年之後松下電器每年提出250～340件，大幅領先日立製作所（Hitachi）、富士通（Fujitsu）等廠商。至於Sony則於2004年12月退出電漿電視（PDP TV）銷售、生產行列。據統計，2002年之前，Sony每年提出的PDP相關專利約40～60件；2003年為25件；2004年減為10件。
蘋果軟硬兼施 扭轉日本手機下載歌曲習慣
（國際新聞中心梁燕蕙∕綜合外電） 2006/09/12
儘管蘋果電腦（Apple）以iPod加iTunes的模式橫掃全球MP3音樂播放機及音樂下載市場，但至今仍在日本市場吃癟。據路透（Reuters）報導，蘋果電腦幾乎支配美國音樂下載市場，但至今在日本音樂下載市場僅有5％市佔率，由於日本市場樂迷習慣採手機下載音樂方式，較不習慣以信用卡在網路音樂商店消費，蘋果為了要拉高iTunes在日本市場佔有率，打算採取軟硬兼施的方式，一來利用iPod在市場的能見度，另外也利用免費的iTunes音樂下載誘因，扭轉日本消費者手機下載歌曲的習慣。
報導指出，日本市場不僅是全球第一個照相手機的誕生地，也是手機網路搜尋的發源地，因此，以手機下載音樂的方式在日本頗為流行，絕大多數的手機皆能以高速下載音樂，而音樂下載的費用就加計在使用者的手機帳單裡。一位使用索尼愛立信（Sony Ericsson）手機的女性高中生表示，她通常都在搭火車上學通勤時，用手機下載音樂，不僅快速且容易，也不必再攜帶另一個音樂播放機。
據市調機構Eurotechnology K.K.總裁Gerhard Fasol指出，與其他市場比較，iTunes在日本碰上的是截然不同的市場現況。調查顯示，2005年日本手機音樂下載市場高達3.2億美元規模，蘋果電腦希望將這股消費潛力導向iTunes的網路下載音樂市場。
據20歲日本大學生Misaki Masai表示，他是直到2005年買了第一台的iPod mini後，才聽說有iTunes音樂商店下載服務，不過，他本身沒有信用卡，既不曾在iTunes消費下載歌曲，也不曾在網路上付費購物。為了獲得這類日本消費者的青睞，蘋果電腦更在日本推出iTunes預付卡，消費者在日常生活最常光臨的便利商店即可買到。
蘋果為吸引更多的日本樂迷轉向iTunes消費，光是2005年就將iTunes的歌曲清單提高到200萬首歌曲，而且還每月推薦免費歌曲以吸引新用戶。一般而言，日本手機音樂下載均價為300日圓（約2.56美元），但iTunes音樂下載價格則在150～200日圓（約1.28～1.71美元），研究機構Seed Planning報告顯示，iTunes的價差不僅可望提升整體音樂下載市場規模，更可望吸引原先手機下載用戶，轉而成為iTunes的忠實客戶。
高通推超低價CDMA手機晶片 明年下半量產
（記者沈勤譽∕台北） 2006/09/12
繼德州儀器（TI）、英飛凌（Infineon）及飛利浦（Philips）分別推出超低價GSM手機晶片後，美商高通（Qualcomm）也正式宣佈推出CDMA單晶片解決方案，預計2007年下半量產出貨，主攻全球新興市場，GSM與CDMA陣營在新興市場的競爭將日益白熱化。
瞄準新興市場的超低價手機戰場，從GSM延伸到CDMA。CDMA領導廠商高通宣佈，推出QSC1100單晶片解決方案，強調將以震撼業界水準的低價，使CDMA手機得以擴大全球新興市場的版圖。
高通CDMA技術總裁Sanjay K. Jha表示，QSC1100可協助手機製造夥伴，在新興市場推出更低低價、更吸引人的產品，另外也將與無線通訊產業相關夥伴合作，推出各種不同功能與多元用戶體驗的新手機，以達成縮短上市時程的共同目標。
QSC1100將基頻數據機、射頻（RF）收發器、電源管理和系統記憶，整合在單一晶片上，減少所需的分散式零件、物料清單成本（BOM）和超過一半的印刷電路板（PCB）面積，製造商將能夠以更低成本，在較短的上市時間內，提供更輕巧的設計，除支援下載和弦鈴聲與桌面、彩色顯示與擴音器等功能外，也能增加手機通話時間達2倍，並提升網路容量達2倍。該晶片採用65奈米製程，預計2007年下半量產。
手機業界人士表示，近來諾基亞（Nokia）決定淡出CDMA手機市場，並將逐步由鴻海（2317）旗下的富士康（Foxconn）接手製造，使得CDMA陣營的氣勢重挫，加上GSM陣營在超低價手機的佈局日益積極，包括德儀、英飛凌與飛利浦等晶片大廠都來勢洶洶，高通不得不加快CDMA超低價手機的腳步，藉以在新興市場扳回一城。
宏達電、多普達GPS軟體策略不同調宏達電、TomTom攜手歐陸 多普達可能與PaPaGo再續前緣
（記者沈勤譽∕台北） 2006/09/12
宏達電（2498）宣佈與TomTom在全球衛星定位系統（GPS）軟體方面合作，攜手進軍歐陸市場，不過，負責亞洲品牌市場的多普達，可能會選擇在P100產品合作的導航引擎公司研勤科技合作。多普達總裁董俊良表示，多普達未來的GPS軟體合作夥伴，還在評估當中，但不一定會限於TomTom。
多普達在2005年底推出首款GPS產品P100後，預計第四季再推出首款GPS PDA手機，可能採用宏達電已經在歐洲發表的Artemis P3300。不過，宏達電與多普達可能選擇不同的導航引擎或圖資合作夥伴，宏達電在歐陸市場將與TomTom合作，多普達則可能與研勤科技再續前緣，持續採用PaPaGo軟體。
對此，董俊良表示，亞洲市場推出的GPS產品，會採取開放的態度選擇軟體合作夥伴，不會限於TomTom。
董俊良11日參加CHT9000銷售破萬記者會，他透露，下一款與中華電信（2412）合作的客製化手機，可能會朝向消費性市場靠攏，希望兼顧商用與生活時尚的需求。儘管他不願透露可能合作的產品，但市場推估宏達電已經在歐洲發表的4款新機中，以首款GPS PDA手機P3300、以及狀似超薄版黑莓機（BlackBerry）S620的可能性較高。
董俊良強調，自從與中華電信合作推出CHT9000後，目前在台灣PDA手機的市佔率已經突破5成，不過，以台灣市場每年150萬台筆記型電腦（NB）、100萬台萬元手機的胃納量來看，還有很大的成長空間。董俊良認為，以智慧型手機這種利基市場而言，每個地區大概只能容納1家品牌，而功能手機則能容納2～3家品牌。
對於宏達電宣佈將以hTc品牌進軍蘇聯市場，而多普達也積極佈局俄羅斯市場，是否產生衝突，董俊良表示，宏達電與多普達有很好的溝通，而俄羅斯市場也非常龐大，雙方不排除採取分進合擊的模式。
微軟最快年底前在台成立軟體研發中心
（記者鐘惠玲∕台北） 2006/09/12
微軟（Microsoft）軟體研發中心籌劃已久，微軟大中華區區域總裁黃存義表示，軟體研發中心一定會在2007會計年度（2006年7月～2007年6月）在台灣成立，而最快則可望在2006年底前成立。
台灣微軟11日舉行2007會計年度記者會，黃存義指出，微軟於2004會計年度成立微軟技術中心，隔年即創造了新台幣18.6億元的產值效益，2006會計年度也創造了27.55億元的產值；到2007會計年度，該中心將創造46.15億元的產值效益，遠高於預估3年內30億元的目標。黃存義認為，台灣業者的利基在於應用軟體，而微軟則可幫助行銷台灣。
另外，繼成立南部辦公室後，台灣微軟營運長蔡恩全也表示，預計11月將成立中部辦公室。
至於微軟近幾年更加重視的線上服務業務，台灣微軟線上服務事業群副總林燕表示，2006會計年度該事業群在台營收成長26％，Windows Live Messenger使用人數已破750萬人，每人每月平均登入時間也從以往的1,237分鐘增加到2,142分鐘，至於2007會計年度，預計此部份營收將再成長35％。
在推出次世代遊樂器Xbox 360後，台灣微軟娛樂暨裝置事業處2006會計年度業績超越年度目標高達20％。台灣微軟娛樂暨裝置事業處副總周文英指出，年底前Xbox 360全球銷量應會達到1,000萬台，在台灣部份，包含Xbox 360與其他電腦週邊系列商品在2007會計年度的業績都可望再成長1倍。
電腦與家用電視結合 蘋果Mac Mini＋Wi-Fi眾望所歸
（國際新聞中心張正平∕綜合外電） 2006/09/12
據紐約時報（NYT）報導，蘋果電腦（Apple）週二（美國時間12日）將舉行名為「好戲上場（It''s Showtime.）」的產品發表會，外界都在臆測，蘋果執行長Steve Jobs究竟會在數位影音市場投下什麼震撼彈；除了已知的線上電影下載服務和可能推出的新款video iPod外，分析師表示，蘋果可能會結合電腦與家用電視，為好萊塢影片提供全新的發行模式，重現蘋果iTunes線上音樂商店對唱片界所帶來的革命性衝擊。
事實上，在這波數位整合（digital convergence）的風潮中，微軟（Microsoft）、英特爾（Intel）和許多新創公司都曾試圖把電腦帶進消費者的客廳，希望把電腦化身為家庭娛樂中心，但無論是微軟與有線電視業者合作的Cablesoft計畫、或是微軟與英特爾共推的Media Center PC服務，都未獲得市場青睞，一般人在家還是透過有線電視、衛星電視或DVD播放機觀賞電影。
外界預測，蘋果可能會以原本就適合在客廳使用的平價電腦Mac Mini為主角，並搭配Wi-Fi或超寬頻無線技術，使數位內容可以無線方式從Mac電腦串流到家用電視機，如此一來，使用者便可透過蘋果電腦的手持式遙控器，在電視螢幕上觀看影片；此外也可搭配蘋果的影音週邊產品AirPort Express，將數位音訊以無線方式傳送到不同房間內的擴音器；值得一提的是，由電影業者所提供的數位內容將可鎖在Mac電腦中，再以名為高解析多媒體介面（HDMI）的連接器串流至電視機，使影片版權也獲得保障。
據蘋果前工程師Steve Perlman表示，將寬頻帶入家庭的最後一哩已大致完成，現在只剩下將高解析影片傳送到家用電視機的最後幾百英尺，一旦完成這一步，家庭娛樂市場將徹底改觀。
Sony DSC邁向1,010萬畫素時代 CCD感光元件仍是主流
（記者陳彥廷∕台北） 2006/09/12
2006下半年度高畫素數位相機（DSC）仍是主流路線，各DSC及單眼數位相機（DSLR）廠皆以此為標的，不僅逐漸採多款產品同步上市策略，在新機發表的同時，更特別以某款超高畫素相機作為主力產品，Sony在11日正式公佈10月將在日本推出的兩款高感度產品N2及T50，其中使用CCD感光元件的N2更將Sony的DSC產品線推向1,010萬畫素時代。
Sony發表的兩款全新DSC，包含1,010萬高畫素、1,600感光度、3吋大螢幕的N1，以及有銀、黑、紅3款色系供選擇、720萬畫素，光學式防手震功能、3吋大螢幕、1,000感光度、以及觸控式螢幕的T50，兩款DSC也皆能使用附件觸控筆在液晶螢幕LCD上顯示照片檔案時塗鴉，增加使用樂趣。
N2屬於第一代N1的升級款DSC，N1的830萬畫素是在台灣上市的最高畫素DSC，台灣新力認為，N2有機會在下半年度就在台灣市場上市，但仍未與日本總公司討論該兩款相機在台上市計畫。
值得注意的是，原本市場推測Sony等日廠有可能追趕CMOS影像感光器研發和製造的腳步，但以下半年度Sony數款新產品皆仍採用CCD元件來看，2006年還看不到Sony推出採用CMOS的產品。
台DSC廠指出，2005年CMOS影像感光器在市場上銷售的數量開始超過CCD， CMOS在低價消費市場如玩具相機、PC攝影鏡頭、以及手機相機逐步升溫，尤其畫素設計、半導體技術提升，CMOS品質受到不少產品線的信賴，帶動量能提升。
台廠認為，日系DSC因為在數位相機市場發展時間長，光學元件技術多半不願開放，而Sony在感光元件也多半使用處理雜訊較優異的CCD感光元件，但耗電量則是其中1項較大的缺點。不過，即使Sony在CCD的技術取得成熟地位，其α100的單眼數位相機（DSLR）也是使用CCD，但業界仍認為CMOS在高質量的圖像應用能趕上CCD只是時間問題，日系廠未來CMOS產品將會走強。
人物專訪－道康寧太陽能解決方案事業部行銷經理Rudy Miller多晶矽短缺 道康寧為太陽能產業訂作冶金級矽純化技術
（記者黃女瑛∕台北） 2006/09/12
道康寧（Dow Corning）為全球第一大多晶矽（Poly-si）材料供應商美國Hemlock的主要股東之一，本身也是Hemlock相關化學原料的主要供應商，道康寧在2001年投入冶金級矽純化技術（metallurgical silicon），近期正式宣佈推出道康寧 PV 1101 SoG（以下簡稱PV1101）。
在太陽光電領域中，PV1101可與多晶矽混合，當作為太陽能電池用的矽材料，得以適當減緩目前全球多晶矽嚴重缺乏的問題，另外，有別於專攻半導體用的多晶矽，冶金級矽純化技術的純化度雖較低，卻是專為太陽能產業量身訂作的上游矽材料製程，更被認為有機會成為未來製程新主流。
道康寧利用其在矽材料供應鏈的獨特地位與全球領導優勢，提供各種解決方案；以下為本報專訪道康寧太陽能解決方案事業部行銷經理Rudy Miller紀要。
問：冶金級矽純化技術對上游原礦料純度要求十分嚴格，道康寧的礦料是否有充裕的來源，及維持品質的技術或方法？投入該項技術的資本支出及時間？產能概況及銷售、獲利成長目標為何？
答：道康寧推出信賴度高及品質穩定優良的PV 1101，提供太陽能業者新的材料來源、技術及商業模式，我們從2001年即開始投入發展該項新產品，道康寧的首要任務即是，促進太陽光電產業成長，並協助相關業者達成其中、長期目標，而PV1101的製程能力是可以隨著客戶需求的增加而大量量產。
問：冶金級矽純化技術在目前來說仍偏屬新興技術，許多許多太陽能晶圓廠對其純度仍抱持觀望，均認為需要長期的合作關係才能使該產品商業化，請問道康寧是否有主要的策略夥伴（下游客戶）？是否已有相關的太陽能電池成品產出、電池轉換效率為何？是否計劃來台與太陽能晶圓廠合作，以及目前全球的市場行銷佈局策略為何？
答：我們已經開始供應全球部份太陽能業者該項PV1101材料，這些客戶在過去 道康寧評估發展PV 1101的過程中，即已有密切的合作關係，由於與客戶間均簽定保密合約，恕我無法公開其名稱及其他相關資訊。
而PV 1101混合材料早已接受全球多家獨立機構的測試及認證，其中包括Konstanz大學，且也取得道康寧太陽能方案客戶工廠的實際測試，結果顯示此一混合材料在太陽能電池的生產和效率等方面，都展現出類似於傳統多晶矽的效能特性，數家太陽能業者也已開始將該材料應用於其量產中，並且肯定PV1101的表現，將其視為其互補性材料之一，持續加重使用比例。
在太陽能市場行銷策略上，道康寧致力於協助太陽光電產業成長，並完成其短、中期和長期承諾，我們將會協助全球各區的業者，將建立起全球經銷網、提供客戶相關的服務及供應的能力。
問：冶金級矽純化技術發展潛力大，在大量量產後，成本的撙節比傳統西門子（Simens）製程更具優勢（即目前多晶矽主要製程），相信道康寧對該技術及其市場的發展有相當的研究，請評估冶金級矽純化技術大行其道的時間約是多久以後？
答：這不是由道康寧可以獨自決定的，我們相信市場將會學習如何快速使用PV1101或這與類型相關的可選性材料，我們也非常榮幸成為太陽能產業中，能提供這類型可選擇性新材料的首家供應商。
問：請問要到何種量產規模，冶金級矽純化技術才能與傳統西門子製程相抗衡？
答：PV1101並非要來取代多晶矽材料，它扮演著一種互補性的角色，提供給太陽能業者額外的料源供應、技術及商業選擇模式，我們已經具有大規模量產的產能設備，足以幫助太陽能產業的成長，基本上這2種技術不應該被拿來作為相互取代性的比較，它們彼此具相當的互補性。
問：道康寧投入該項技術的動機為何？
答：道康寧本身在矽純化、處理、專業製造方面長期累積豐富的經驗，在十分具成長潛力的太陽光電業中，道康寧於該市場的定位是提供具成本效益、耐用性、效能性的廣泛材料供應商或材料方案解決者，而太陽能應用與半導體矽材料之間，具有高度的互通性，這正是道康寧的核心優勢所在。
問：由於道康寧本身是全球多晶矽第一大廠Hemlock的主要股東，亦是其三氯矽甲烷的主要供應者，但投入冶金純化技術後是否可能有與Hemlock在矽材料供應上產生競爭之虞？
答：PV1101其實是純化度高的多晶矽材料的互補品，它是為太陽能產業提供一個新的原料供應來源以及新的技術與商業選擇。
問：道康寧與Hemlock未來在太陽能材料供應市場上，是否有不同的定位目標？
答：道康寧與Hemlock在法律上是分開的，道康寧是Hemlock的主要股東之一，其他股東包括ShinEtsu Handotai 及 Mitsubishi Materials，道康寧與Hemlock各專司的各自經營的商業領域；而道康寧推出的PV1101即是鎖定在太陽能多晶矽長晶領域的應用，並與Hemlock所供應的多晶矽具有互補應用的作用。
問：由於多晶矽材料的缺乏，據了解全球已有許多業者投入冶金級矽純化技術，包括新日本製鐵（Nippon Steel）、日本JEF等，道康寧在冶金級矽純化技術定位與這些競爭者有何不同、道康寧的優勢為何？
答：基本上，我們不對其他的科技公司作任何評論，道康寧致力於太陽光電產業的發展，將以自身在半導體業上的獨特地位及領導的優勢，提供客戶更新的選擇。
因應消費性電子產品輕薄趨勢 封裝廠積極量產QFN超薄IC封裝技術
（記者李洵穎∕台北） 2006/09/12
為因應消費性電子產品強調輕薄短小的趨勢，醞釀2～3年的QFN超薄IC封裝技術終於在2006年開花結果，愈來愈多的封裝測試廠進入量產，包括日月光（2311）、矽品（2325）、超豐（2441）、典範（3372）和誠遠（8079）等，均已有客戶開始量產，但因其產值不及其他領域，如高階BGA封裝，故仍以超豐、典範和誠遠等以消費性為主的中小型廠較為積極。
封裝業者指出，QFN封裝目前已經超越傳統的引線封裝，用來取代成本較高的晶圓級晶片尺寸封裝（wafer level CSP），而CSP雖將封裝外形縮減成晶片大小，卻須使用間距很近的錫球陣列做為元件接腳，使得產品製造難度提高；而QFN封裝不但體積小、成本低、生產良率高，還能為高速和電源管理電路提供更佳的共面性以及散熱能力等優點，此外，QFN封裝不必從兩側引出接腳，因此電氣效能勝於引線封裝必須從側面引出多隻接腳的SO等傳統封裝。
QFN封裝技術仍以應用在消費性IC為最大宗，包括如RF、通訊等，同時封裝腳數在48pin以下，自2～3年前開始興起，到2006年技術才逐漸成熟，日月光、矽品等均有此技術，但因QFN封裝產值不大，因此該2大廠沒有放太多心力於此，而研發態度較為積極者多屬中小型廠；另外，華泰也曾在客戶要求下考慮投入QFN，但最後因材料太貴等因素而放棄。
超豐、誠遠等封裝業者表示，每顆IC採用QFN封裝的成本視腳數不同，介於3～6元之間，而傳統封裝成本約在1元上下，而QFP則在10多元，即使QFN的材料比其他導線架封裝高出2倍，但整體封裝成本還在可以接受範圍，因此QFN技術逐漸興起；該項技術因應用在高單價的消費性電子產品，如手機、PDA、GPS等，技術成本佔終端產品價格並不顯著，因此下游客戶對QFN的接受度也逐漸提升。
超豐表示，由於消費性IC具有少量多樣的特性，基板因多應用於量多、標準化的產品，因此消費性IC使用基板封裝的成本太高，平價化的導線架封裝對消費性產品較為有利，而以消費性為主的封裝廠而言，採用導線架的QFN技術是另一項新商機。
跨入QFN是典範2006年以來較為令人關注的題材，典範認為，可攜式電子為市場趨勢，輕薄IC具市場潛力，典範產品以0.65～0.85mm厚度為主，厚度甚至可達0.4mm，超薄型IC封裝平均毛利率為30％以上，高於平均毛利率；典範表示，將持續提高QFN超薄IC封裝產能，預計2006年底前產能將較上半年增加1倍，有助2006、2007年業績成長動力。
超豐則算是跨入QFN領域腳步較晚的公司，該公司見到市場需求方決定投入新技術，顯見超豐保守穩健的公司作風，目前超豐仍在認證中，但已針對部分客戶送樣。
儘管類比IC封裝技術朝向輕薄的QFN封裝漸成趨勢，但因要求較高標準的EAGLE測試機台搭配，而此種機台對測試廠誠遠而言，屬於價格高昂的投資範圍，因此該公司在訂單不明朗之際，不願冒險投資；不過，誠遠表示，近日不但有既有客戶需求提高，而且新類比IC客戶，如益力、力智及通嘉科的詢問度也高，因此決定再增加機台產能。
火線話題－惡公婆條款 飛利浦Veeza菜色似乎該換了？
（許金池∕採訪中心） 2006/09/12
飛利浦（Philips）興高采烈端出Veeza這道新菜，雖然Veeza菜色新穎有創意，不禁讓人佩服飛利浦對專利授權的用心程度，不過，由於食材、調味料與控制火侯遠不合台系碟片廠及預錄廠口味，Veeza若要順利建立口碑恐仍要再做一番修正，才會吸引客戶上門。
飛利浦全力捍衛專利權，積極推廣Veeza新制，於情於理於法上，飛利浦絕對站得住腳，不過，何以台系、大陸兩地的碟片廠與預錄廠全面抵制不簽，顯然各家碟片廠也有其考量。
雖然飛利浦積極釋出善意，以調降權利金的優惠，吸引碟片廠簽訂新約，不過，飛利浦在新的授權合約上，卻以條條極度不合理的條約內容，綁死各家碟片廠，這也造成碟片廠興趣缺缺的主因。
在飛利浦新的授權合約內容規定，飛利浦除要求碟片廠提供出貨數量、客戶資料外，光碟片出貨必須檢具飛利浦授權的證明文件（LSCD），此外，飛利浦亦要求碟片廠對所購買新設備、採購數量或高階主管異動，均需主動對其報告。
而在不合理要求規範下，碟片廠就打趣比喻說，飛利浦就如公婆，碟片廠就如媳婦，客戶就如兒子般，欲嫁入豪門，必須先檢視媳婦的條件，而在通過其資格認定後，兩人才可正式成親（指客戶可以向碟片廠下單）。
碟片廠表示，廠商與客戶出貨資料與次數，就如兒子與媳婦進行親密關係的頻繁次數，下貨訂單數量，就如2人用過多少保險套，飛利浦都必須知道，然後依照親密次數收取房租（專利授權製造費），2人完全赤裸裸展現在公婆面前，毫無隱私可言，業者與客戶間商業機密完全暴露在飛利浦。
此外，凡是簽訂新約，飛利浦亦在合約內容上加上不能質疑其所擁有的專利權，若要提出告訴的話，廠商願意放棄法律抗辯權，碟片廠指出，此一條文，亦代表飛利浦的權威是不容接受挑戰的。
就專利權的角度來看，飛利浦在CD-R所擁有專利權當然是無庸置疑，但是換個角度來看，台灣業者就如弱勢媳婦一樣，只能根據其遊戲規則而走，這也是為何台系碟片廠遲遲不簽下Veeza的背後原因，寧願選擇單身生活。說穿了，Veeza就是綁住媳婦的惡公婆條款，因此，飛利浦若要順利推展Veeza，還是來點開明實際一點的作風吧！
大型發電廠終走向式微 未來發電廠就在自家後院？[
（國際新聞中心張廖婉菁∕綜合外電） 2006/09/12
2050年時全球能源供應將由再生能源所取代？姑且不論這項推論是否能成真，已有能源專家大發議論表示，大型發電廠的發電成本不但高昂，未來勢必會成為過時的老古董，以後發電設備將更小型化、地點也由集中走向分散，未來家家戶戶可能在地下室、車庫亦或者屋頂上就會有自己的供電裝置。
專家表示，現在能源問題有別於70和80年代，當時是肇因於政治問題，但現在油價高漲卻是導因於部分市場的需求過於旺盛，以印度為例，2004～2005年間進口原油數量超過8.3萬桶，和1999～2000年間數據相比，增加了1倍以上。
以金磚四國（巴西、俄羅斯、大陸和印度）目前對原油需求的程度來看，全球的產油量將從2010年開始減少，專家甚至預測，如果大陸和印度的經濟擴張速率繼續維持現階段的高成長，則其耗油量每年將增加6％，若要達到供需平衡，2010年時的全球石油產出必須增加43％，屆時每桶油價可能上漲到100美元，各國都將因此深受其害。
根據8大工業國所做的調查則指出，雖然加速再生能源的部署可能得投資超過1,000億美元，但油價上漲所造成的損失恐怕更嚴重，只要油價每上漲10％，增加的油價成本可能就要幾十億美元。
新興市場印度境內的傳統能源，如石油、天然氣、鈾礦和煤礦可能很快就會耗竭殆盡，石油只要25年的時間、天然氣和鈾礦分別只要40年和80年，煤礦情況稍好，但大概200年就會用完，這已引發印度官方開始重視再生能源的發展。
目前印度使用分散式發電系統比重還不及3％，但以印度這樣地域廣泛，多種族且多語言的國家而言，若要發展分散式的可再生發電設備挑戰勢必不少，不論是技術面、營運或控管均非易事，可能必須依照各地區的不同的特性加以推廣。
而且，傳統發電方式和再生能源發電方式各自的競爭優勢也會影響他們的普及率，現在再生能源發電的成本雖相對較高，但隨著經濟規模擴大，勢必會慢慢下降，以太陽能為例，現在用太陽能發電的成本已比80年代減少2～3成，但因印度的再生能源的發電效率不高，其實也多少都會影響人們使用的意願。
三星發表32Gb NAND Flash 未來將採40奈米製程生產
（國際新聞中心陳怡均∕綜合外電） 2006/09/12
三星電子（Samsung Electronics）宣佈最新研發成果，發表NAND型快閃記憶體（Flash）容量倍增的32Gb產品，未來並將導入40奈米製程技術打造該產品，以及最新記憶體PRAM，宣稱儲存速度更上一層樓。
身為全球NAND型Flash最大供應商的三星，自1999年起便極力研發擴大產品容量，使NAND型Flash容量得以每年倍增的速度增加，三星半導體事業群總裁黃昌圭日前向外界展示32Gb NAND型Flash，容量即較上一款16Gb倍增；三星在2005年10月曾宣佈採用50奈米製程技術推出16Gb的NAND型Flash。
除此之外，三星並且發表最新非揮發性記憶體PRAM，並且向外界展示512Mb的PRAM原型，該產品主要應用在數位裝置儲存資料速度更快，儲存速度約為傳統Flash的30倍，三星並表示，PRAM未來可望與NOR型Flash一較高下，估計將於2008年問世。
DRAM廠看好這波景氣 高啟全：應可維持到後年明年全球DRAM銷售額將增至292億美元
（記者吳宗翰∕台北） 2006/09/12
為期3天的台灣半導體設備暨材料展（SEMICON Taiwan 2006）於11日舉行開幕論壇，華亞科（3474）總經理高啟全於開幕論壇中指出，目前看來，整體DRAM市場表現相當不錯，而這波市場榮景應可維持到2008年，由於看好2007年景氣，華亞科將提前通過第二座12吋廠第二階段6萬產能預算，三星電子（Samsung Electronics）半導體事業群總裁黃昌圭亦指出，2007年DRAM景氣可望優於2006年。
根據外電報導指出，黃昌圭於11日表示，三星的半導體部門第三季營收將創下歷史新高。且目前以全球整體DRAM市場看來，2006年下半將更優於上半年，2007年也將會更好，日前市調機構iSuppli便指出，由於目前DRAM景氣相當不錯，因此三星可能已開始將原本用於NAND型快閃記憶體（Flash）的產能調回投入DRAM。
另外，由於微軟（Microsoft）推出次世代視窗作業系統Vista之賜，2006年下半DRAM市況將確定進一步改善，因此2007年景氣也將更好。預估2007年全球DRAM銷售額可望由2006年的280億美元攀升至292億美元。
高啟全指出，2006年雖有DRAM廠12吋廠加入生產，但目前看到的是，大多數DRAM廠到了2006年才確定景氣轉強，因此大部份增加的12吋廠均在2006年才開始投入建廠，12吋廠真正供給較多的會是在2007年，不過，就算2007年有12吋廠投入，但由於屆時約有40％的8吋廠將被淘汰，因此，DRAM整體供給仍處於吃緊狀態，而不會有供過於求的情形，再加上2007年微軟新款Vista作業系統推出，需求將更為增加，況且每年DRAM需求均有40～50％的複合成長率，這部份又再強化DRAM市場需求，因此整體看來，DRAM產業的榮景應該可以持續到2008年。
他進一步指出，DRAM廠從2005年起開始轉入12吋廠和90奈米製程，與1993～1995年時DRAM廠從6吋廠轉到8吋廠相似，因此，可以預見未來幾年DRAM價格均會相當穩定，也正因為看好未來幾年的DRAM市場，華亞科也預計在9月所召開的董事會中討論，提前通過華亞科第二座12吋廠第二階段6萬片產能預算。
新聞評析－MLC主流之路不遠 台模組廠受惠最大具價格競爭優勢 未來NAND Flash產業將由其主導
（記者連于慧∕特稿） 2006/09/12
隨著三星電子（Samsung Electronics）降低SLC（single-level-cell）晶片，且增加MLC（multi-level-cell）晶片供貨量，MLC晶片在NAND型快閃記憶體（Flash）產業中的主流之路不遠，台系記憶體模組廠將成為最大受惠者，在價格上具競爭優勢，加上2006年NAND型Flash價格下修，晶片成本越來越便宜，加速終端產品的出貨量持續增加，未來模組廠NAND型Flash產品出貨量成長速度將更快。
一般而言，NAND型Flash的MLC晶片雖然在讀寫速度上不如SLC晶片快，且寫入次數多，但具有成本較低優勢，對一般非專業玩家級的消費者而言，其實採用MLC晶片的NAND型Flash產品相當夠用，且價格也較便宜，因此消費者的接受度較大。
然過去MLC晶片的供應商以東芝（Toshiba）和新帝（SanDisk）為主，三星的MLC晶片量產之路延宕近2年時間，隨著2006年下半製程逐漸成熟，量產後供貨開始增溫，未來整個NAND型Flash產業將逐漸由MLC晶片主導。
雖然上半年因為NAND型Flash價格大跌近60％，且大部份以SLC晶片為主，使得SLC和MLC晶片的價差大幅縮小，且幾乎相當接近，因此，2006年上半各家記憶體模組廠在NAND型Flash產品線出貨量同步放大，且成長幅度相當驚人。
隨著NAND型Flash大廠近期在MP3國際大廠包產能的效應下，大幅控制SLC晶片出貨量，因此，近期SLC晶片價格明顯拉升，與MLC晶片將保持正常的價差關係，然台系模組廠拿到的MLC晶片明顯增加下，未來在前線打戰的資源將日益強壯。
三星SLC供貨減50％ NAND Flash市況轉趨樂觀供給吃緊、模組廠積極回補庫存 惟MLC供貨增溫有助改善獲利
（記者連于慧∕台北） 2006/09/12
模組廠表示，因為三星電子（Samsung Electronics）的SLC（single-level-cell）製程技術的NAND型快閃記憶體（Flash）晶片供貨以國際大廠為主，9月SLC供貨量較8月大幅縮減至少50％，因此目前8Gb的NAND型Flash出現短缺，使得近日價格明顯上漲，然值得注意的是，模組廠期待已久的MLC（multi-level-cell）NAND型Flash晶片，隨著三星製程順利量產，自8月下旬供貨量開始加溫，有助模組廠進一步穩固NAND型Flash產品線的成本結構。
模組廠表示，為了全力支援蘋果（Apple）等國際大廠新產品推出，三星將SLC晶片供貨以國際大廠為優先，因此9月拿到的SLC晶片與8月相較，至少減少50％左右，且海力士（Hynix）也有控制上游NAND型Flash供貨的跡象，這些NAND型Flash大廠在經歷大跌後，似乎有搶搭本季末班車的意味，將NAND型Flash行情順勢拉一波。
根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，8Gb晶片價格再度大漲超過5％，高價來到17.6美元，平均價格為14.76美元，16Gb晶片則大漲超過8％，平均報價為28.28美元，而4Gb晶片則因為目前通路端供貨算是穩定充足，因此價格僅是小漲，反應不如8Gb、16Gb晶片明顯。
模組廠進一步表示，雖然9月SLC供貨明顯減少，但之前等待已久的MLC晶片自8月下旬起開始逐步增溫，對於NAND型Flash產品的獲利結構，有進一步改善空間。
2006年以來，NAND型Flash價格走跌幅度累計達60％，主要是以SLC晶片為主，然也使得SLC和MLC晶片的價差明顯縮小，而當2者價格差不多時，廠商當然傾向採購效能較好的SLC，然近期因為上游嚴控供貨，使得SLC晶片供貨大減，再度拉開與MLC晶片的差價。
通路商表示，上游NAND型Flash供給受到控制、庫存去化達一定程度，加上MP3大廠高容量產品陸續問世，這3項因素相加，讓原本看法趨於悲觀的NAND型Flash市場出現轉機，近期開始供貨吃緊，大家追價補庫存的心態也比之前積極些，因此價格陸續上揚，在第三季即將進入尾聲之際，NAND型Flash終於有倒吃甘蔗的行情。
18吋廠世代合資模式 記憶體產業大趨勢 單座廠投資額過大 需共同分攤研發費用、降低營運風險
（記者吳宗翰∕台北） 2006/09/12
華亞科（3474）總經理高啟全於11日參加台灣半導體設備暨材料展（SEMICON Taiwan 2006），此次也是SEMICON Taiwan第一次邀請純記憶體廠商擔任演講者，高啟全於會中表示，目前雖還無法確定18吋廠世代何時會來，但可以確定的是，由於投入18吋晶圓廠建造會是1項相當龐大的投資案，因此更不可能由單一半導體廠獨立完成，也就是說，未來跨入18吋廠世代時，如華亞科由南亞科（2408）與英飛凌（Infineon）合資（Join Venture）成立的模式將會越來越普遍。
高啟全表示，18吋廠將是未來半導體產業的主流，只不過由於在製程技術、設備及材料上還未正式定案，再加上要投入何種產品用於18吋廠也還未知，因此，尚無法確定18吋廠何時會成為主流。
但是從興建1座12吋廠便要花費30億美元來估算，興建18吋廠將需花費逾50億美元，整體投資金額更為驚人，加上產出量也將快速拉高，因此屆時如何讓18吋廠產出的產品有適當運用之處，便成為當下所有半導體廠商必須思考的問題，而也正因為投資金額較12吋廠多出甚高，未來半導體廠以合資方式來完成建廠，勢必將成為產業發展趨勢，換言之，未來廠商採南亞科與英飛凌合資成立華亞科的模式，將會相當普遍情況，而現在來看，最有可能率先投入18吋廠建造的，將會先以生產微處理器（CPU）為主。
高啟全認為，由於南亞科和英飛凌合資成立華亞科展現極佳的獲利能力，對於近日傳出爾必達（Elpida）與力晶（5346）可能在台灣合資成立新公司，高啟全對此表示，合資可以分擔龐大的研發費用，進一步降低營運風險，因此合資將會是全球的趨勢，也代表華亞科模式是成功的。
高啟全指出，就過去產業發展歷史經驗來看，全球半導體廠在發展6吋廠時，廠商總數便高達450家左右，但後來進入到8吋廠世代，總廠商數便因部份業者競爭力不足而減少3分之2，到了12吋廠世代，又因多數8吋廠自動化程度不足，無法跨入12吋廠生產半導體產品，因此將再減少40家左右，而這樣的趨勢到了18吋世代則會因自動化程度持續提高，廠商家數恐將進一步降低。
三星30億美元採購大餅 台廠摩拳擦掌！逾50位採購主管10月來台 面板、半導體採購是重頭戲
（記者王君毅、郭靜蓉∕台北、台南） 2006/09/12
韓廠三星電子（Samsung Electronics）委請經濟部等單位協助，擬在10月11、12日在台舉辦採購大會，屆時三星電子旗下13個事業部、超過50位採購主管將來台與會，預計會有近130家台灣業者參加。三星電子2006年對台採購金額約達25億美元，較2005年成長25％，隨著三星電子廣開與台廠合作之門，加上對台採購面板、半導體等元件數量持續攀升，預計2007年對台採購可望衝破30億美元大關。
目前三星電子全球共有6個採購總部，分別位於大陸、新加坡、歐洲、台灣、日本及美國等地，2005年起台灣已成為三星電子全球第二大境外採購地區，僅次於日本。三星電子大中華採購總部台灣中心總經理車元大表示，10月所舉辦採購大會係針對潛在與新合作夥伴，因此，既有與三星電子合作供應商將不參加。至於確切採購種類與金額，三星電子未表示意見。
事實上，車元大日前指出，2006年對台採購約25億美元中，面板採購金額比重最大，約達8億～10億美元，較2005年至少多2億美元，包括友達（2409）、奇美電子（3009）、華映（2475）、彩晶（6116）及勝華（2384）均已與三星電子建立合作關係。此外，半導體元件亦是三星電子對台採購重點項目，2006年半導體元件採購金額約佔3成比重，主要合作業者為晶豪科（3006）、晨星、立錡（6286）等。
台廠預料，三星電子此次除既有面板、半導體元件外，包括發光二極體（LED）、液晶顯示終端上游元件、手機零組件等，都將是三星電子採購項目，隨著三星電子與台廠合作更趨緊密，預估2007年三星電子對台採購金額有機會突破30億美元，且仍以面板採購比重最大。
台面板廠則指出，包括三星電子、飛利浦（Philips）、戴爾（Dell）、惠普（HP）等採購大廠，均常與台廠接觸，其中，三星電子約在每年第三季末、第四季初時，會與台系面板廠洽談整年度面板採購量，通常三星電子會給面板廠隔年的出貨預估值，然後視面板廠能否供應足夠產能，在雙方達成共識後即會簽約敲定，其間可能一次談定或經多次洽談後才決定。
面板廠表示，像是三星電子等知名品牌大廠提供給面板廠的年度出貨預估值，通常都能達到預估出貨目標，此次三星電子在台所舉辦採購洽談會，雖然未針對既有面板供應商，但由於距離年度面板合約洽談採購時間已十分接近，因此，三星電子近期應會針對2007年面板採購案有所動作。
此外，三星電子允許對外面板採購量最高達6成，由於數量不少，對台面板廠而言，三星電子是重要合作夥伴；目前三星電子已預訂彩晶2007年19吋液晶監視器面板400萬片數量，且三星電子近期亦躍升為華映第一大客戶，採購項目以32、37吋液晶電視（LCD TV）面板為主，進而促使華映8月液晶電視面板出貨創下25萬片新高紀錄，8月合併營收大幅成長2成。
台廠指出，由於三星電子業務範圍頗大，此次主要事業部採購部門高階主管都將來台，因此，三星電子此次活動已引發台廠高度重視，預計將有近130家業者與會。
富士通與東京工業大學聯手開發FeRAM的新型材料
上網時間 : 2006年08月10日
富士通微電子(Fujitsu)台灣分公司宣佈，東京工業大學(Tokyo-Tech)、富士通實驗室(Fujitsu Laboratories)與富士通公司已經聯合開發出一種用於新世代非揮發性鐵電記憶體(FeRAM)的新型材料。相較於目前FeRAM生產中使用的材料，此種包含鉍鐵氧體(BiFeO3或BFO)的合成材料能提供多出五倍的資料儲存容量。
FeRAM採用以BFO為基礎的材料，並運用65奈米製程技術所打造，因此可將記憶容量擴展到256Mbit。新款FeRAM並具備超低功耗與高速傳輸速度，可滿足新一代個人化行動電子產品小巧、易操作與高安全性等特點的IC卡等。富士通預計將於2009年推出樣品。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛(PZT)，但其低蓄電能力常限制了可擴充性，該技術限制預計在2009年，發展至130奈米節點時就會出現。此外，內含Mn doped的BFO薄膜電容器能夠減少漏電流，並具備180-220μC/cm2的交換式充電(Qsw)，這相當於殘留極化值2Pr的兩倍，顯示在技術節點方面具備的巨大擴充潛力。
採用65奈米技術的FeRAM可使用含Mn doped的BFO來製造，其裝置架構與使用180奈米技術生產的FeRAM的裝置架構類似。此款新材料讓FeRAM具備更大的可擴充性，將存儲容量擴充至2014。與現有的1Mbit容量相比，256Mbit FeRAM擁有高出2個等級的密度。隨著密度的提高，FeRAM的應用將可伸及至電子紙裝置與「Quick-on-Computer」(電腦在開機後能夠立刻使用)等全新領域。
富士通於1999年開始FeRAM的量產。至2006年3月為止，富士通已經銷售數億顆嵌入式與獨立式FeRAM晶片，其中包括1Mbit獨立式FeRAM晶片。富士通於今年在東京舉行的日本應用物理學會(Japan Society of Applied Physics；JSPS)會議與在夏威夷舉行的國際積體鐵電元件應用會議(International Symposium on Integrated Ferroelectrics；ISIF)上已發表此新款材料與製程技術。
針對未來汽車應用的高可靠性創新半導體方案綜述
上網時間 : 2004年12月01日
現在，汽車產業的創新幾乎完全由智慧電子技術驅動，很多情況下這也是唯一可以實現新功能特性的途徑。如今，一個裝備良好的高級汽車一般具有40～50個電子控制單元，頂級車型甚至有70個以上。每個控制單元至少有一個微型電腦和幾個類比零件。因此，近年來汽車產業已成為半導體產業的一個重要市場。今後幾年半導體技術將會怎樣呢？對汽車電子產業有何影響呢？
半導體製程尺寸越來越小的趨勢會繼續延續。目前，針對汽車應用的MCU所用製程範圍從0.5微米至0.18微米。基於0.13微米製程的MCU也已開始啟用。
量產預計於2005年開始。飛思卡爾的MPC5200和MPC5500架構是這一製程技術的典型代表。90nm和65nm製程也正開發中。隨著尺寸的縮小，每個晶圓上的晶片數目將大幅增加，但相應的晶片光罩和生產成本也會大幅提高。300mm晶圓的採用將進一步增加成本。因此，只有大量產才能實現具有成本效益的設計和產品生產。長遠來看，一個半導體系列產品的很多衍生型號都將遭受淘汰的命運。顯然，將來的趨勢是少品種、大批量。
為了支援針對汽車應用的未來定製方案，就需要基於嵌入式快閃記憶體EEPROM技術的靈活、可配置且可程式的產品。因此，在專用ROM MCU的開發中，eFlash技術將受到青睞，而且將來會取代簡單的CMOS技術。此外，越來越多的EEPROM模擬基於標準eFlash儲存模組。然而，EEPROM模擬仍需要高性能嵌入式快閃記憶體技術，以便獲得至少一萬次的編程/擦寫周期。再過幾年，一種全新的非揮發儲存技術將用於汽車應用。MRAM儲存技術可滿足MCU記憶體的所有專用需求，而且不存在目前的記憶體劃分(如ROM、RAM和EEPROM)的限制。非揮發性記憶體可快速寫入即時狀態數據的功能將打開新的應用之門，如飛機黑匣子記錄功能。此外，各種低功耗待機模式將大幅降低閒置模式下的功耗。飛思卡爾已經推出第一批MRAM記憶體樣片。
圖1: 周邊模組控制完全由I/O控制器完成的X-GATE概念。
針對汽車創新應用的未來結構
創新功能的實現通常需要越來越高性能的運算方案。與PC不同的是，在汽車應用中高性能運算能力不能簡單地依靠增加時脈速率來實現。在這裡有很多因素在限制著時脈速度的提高，比如高達125℃的周圍溫度、缺乏散熱裝置及功耗的限制等。此外，汽車系統嚴格的即時要求大幅降低了傳統高性能CPU的效率。頻繁的任務切換和大量的中斷使得CPU管線或高速緩衝記憶體應接不暇。將部份任務轉移給周邊元件可解決這類問題，如I/O處理器和狀態機等。在馬達管理應用中，專門的‘時間處理單元’可負責分析和產生複雜時序訊號的責任。智慧DMA模組可自動處理來自LIN或CAN網路的通訊數據，或靈活儲存類比數位轉換器(ADC)數據。依靠新的地址和數據匯流排架構可實現主CPU和I/O處理器或DMA模組的平行執行。這種分佈式智慧架構最早在新近推出的32位元MCU MPC5500、MPC5200和MAC7100中得以實現。在16位元領域，新的方法也在探索之中。一個專門針對汽車應用定製的I/O處理器模組可掌管所有周邊模組的處理，因此CPU得以解脫以處理純應用任務。針對時序、通訊和ADC的周邊模組控制完全交給了I/O處理器模組。全新的16位元HCS12X MCU系列就採用了這一稱為X-GATE的新概念。
可以說針對汽車應用的定製MCU結構將會繼續發展，因為它們能以低功耗、適度的散熱及良好的程式儲存效率來滿足高性能運算等系統要求。帶I/O處理器模組的智慧周邊電路的另一個重要優勢在於其高度的靈活性和可配置性。因此，單個MCU型號就可有效解決多種汽車應用的問題，這也正好符合半導體產業逐漸減少衍生產品型號的發展趨勢。AUTOSAR軟體組件標準化計畫也是這一產業趨勢的體現。飛思卡爾積極參與了所有與MCU相關的AUTOSAR工作組，以定義軟體和MCU硬體之間的最優介面。
汽車創新的未來概念
透過LIN和CAN網路互連汽車的各個控制單元已經達到了一種極限。現在，創新的功能需要快速且確定性的數據傳輸。FlexRay通訊技術不但為汽車應用提供了快速且確定性的數據傳輸，而且可實現容錯分散式系統。該技術在汽車中的部署和應用本質上依賴於具有成本效益的合適的半導體產品。為了服務於更廣泛的市場和應用，飛思卡爾決定開發單片式FlexRay方案。MFR4200元件是一種整合的FlexRay協議控制器，主要針對汽車市場。該元件可與飛思卡爾的16位元和32位元MCU無縫介面，因而實現低成本的FlexRay控制單元網路。只要簡單地添加FlexRay控制器，就可將現有和新的控制單元整合進FlexRay網路。跟CAN類似，FlexRay控制器功能將來也要整合在MCU中，因而進一步降低成本。相應的產品已在開發之中，預計明年將會上市。
幾年前，線控(Drive-by-Wire)技術是汽車產業頗受爭議的一個創新。該技術正被一步步應用，如電動－液壓剎車和電動方向盤操縱系統，以及目前的‘電子氣壓踏板’。電控伺服馬達和制動器(actuator)在將來的線控系統中將發揮重要作用。有效的控制越來越需要DSP功能。DSP和MCU的整合將是實現低成本、高效率系統的關鍵。飛思卡爾開發的MC56F8300 MCU結構正是針對這一應用領域，它不但整合了DSP和MCU功能，而且還整合了專用周邊電路模組。這樣就可以採用簡單的機械元件和低成本的電動馬達。此外，速度和定位感測器可以省去，或者作為容錯系統的額外一級冗餘。
圖2： 整合了DSP和MCU功能以及專用周邊模組的16位元混合控制器56F8300框圖
半導體產業另一個重要趨勢是模擬功能和智慧控制邏輯的整合。飛思卡爾先進的0.25微米SmartMOS-8技術可實現數位CMOS邏輯與模擬雙載子電晶體及橫向DMOS功率電晶體的高度整合。SmartMOS-8首次使用通道技術獲得了極高的功率電晶體封裝密度，這顯示多個功率開關能以一種高效的方式整合在單個晶片上。即使小的MCU子系統也能以一種低成本的方式整合起來，因而實現全新的智慧負載控制器概念，特別適用於照明和制動器(actuator)。
提高汽車可靠性的未來功能和概念
除了創新的功能和技術外，汽車產業還有另一個重要要求：高可靠性。流行的術語叫做‘零缺陷’計畫。半導體元件自然在該領域起著重要作用。汽車半導體從設計開始就需要100%的測試覆蓋率，新的晶片開發由最新的晶片設計方法和功能級驗證工具提供支援。在最後的半導體元件測試中，自動測試模式產生和全掃描測試方法是檢測邏輯錯誤的最佳方式。此外，‘內建自檢’模組適用於檢測全掃描測試無法覆蓋的功能錯誤。
不過，控制設備失敗的原因有可能不是由缺陷零組件造成的，而是由缺陷軟體、沒有編譯或錯誤解釋的規格，以及汽車的‘噪音’環境(如導致EMC問題的突波及電源噪音等)。為減少這類失敗，飛思卡爾的新型MCU結構增加了安全和保險性。智慧‘時脈監控’系統可監控時脈品質，以便檢測和濾除掉引起EMC問題的噪音。如果由於石英晶體毀壞等原因而導致整個時脈失敗，一個內部VCO就會自動啟動以保持控制單元的正常工作。自動化的‘邊際驗證’功能可確保嵌入式閃速EEPROM記憶體的高品質數據編程。程式和數據記憶體的錯誤可透過‘糾錯編碼’技術被即時檢測和糾正。高速緩衝記憶體系統還使用了互補奇偶資訊。此外，被保護儲存區域的自動簽名產生和驗證也可確保高度的數據完整性。記憶體保護單元可防止個別軟體任務非法存取記憶體和週邊設備，並適用於檢測‘軟體跑飛’情形的產生，因而可保證控制單元處於安全和穩定的工作狀態。這種安全和保險特性的不斷整合為汽車產業‘零缺陷’計畫的發展做出了貢獻。
作者：Hans-Peter Heigl
技術總監
飛思卡爾半導體德國公司
IBM與英飛凌發佈共同開發的0.18微米MRAM記憶體原型
上網時間 : 2003年07月26日
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在2003年VLSI技術研討會上，IBM與英飛凌公司的合作研發團隊發佈了磁阻RAM(MRAM)陣列的原型，這顯示出MRAM技術獲得重要的發展動力。該MRAM聯盟總監A.R. Sitaram展示了兩款均採用0.18微米製程的測試晶片。這是採用0.18微米設計規則和標準邏輯製程製作的MRAM原型首次公開亮相。此前，在MRAM開發方面居於領先的摩托羅拉公司曾發佈過一款4Mb MRAM。
不過，MRAM儲存單元的尺寸能否迅速縮小因而使之具有競爭力依然是個問題。128kb的原型陣列每個儲存單元面積是1.4平方微米，與目前三種主流的記憶體─快閃記憶體、SRAM或者DRAM相較，新元件要大得多。
然而，作為一種非揮發性記憶體，IBM與英飛凌的MRAM據稱具有極優的性能，其存取時間僅為5奈秒，寫脈衝也是5奈秒。Sitaram表示，MRAM的儲存持久性至少比快閃記憶體技術高兩個數量級。但他承認，MRAM記憶體寫一個單元需要6毫安電流，這仍然偏高。雙方的合作團隊正研究改善交換層厚度的方法以減少功耗。“如果我們不知道如何改善功耗和單元尺寸，我們就不會開發MRAM，”Sitaram說。
日立公司的一位經理：MRAM需要一個磁層。IBM和英飛凌使用被隧道絕緣層隔開的鉑錳材料充當磁層。"> Kimura指出，縮小尺寸是個巨大的挑戰。目前為止，已公佈的最小MRAM單元尺寸是0.6平方微米，而Kimura認為，MRAM製造商需要將尺寸縮小到約0.1平方微米才能成功。
相較之下，六電晶體SRAM單元在採用90奈米製程時大約是1平方微米。在VLSI研討會上，東芝和SanDisk公司公佈了一款採用90奈秒製程的NAND型快閃記憶體單元，其尺寸僅為0.041平方微米。此外，東芝的工程師還介紹了一種採用65奈米技術、尺寸為0.11平方微米的DRAM單元。
不過，一位在T.J.Watson研究中心工作的IBM工程師Tak Ning表示，MRAM的速度是如此之快，以至於IBM認為它可以用來取代在伺服器中的SRAM。IBM堅信，如果MRAM能夠在單元尺寸和速度上擊敗SRAM，那麼MRAM將在伺服器領域贏得立足點，並逐漸進入低成本應用。英飛凌則瞄準了不同的目標應用，包括汽車IC，在此領域MRAM的可靠性和持久性將是關鍵因素。
IBM和英飛凌宣佈，他們將在位於法國的合資公司Altis Semiconductor集中製造MRAM記憶體。這家合資公司為MRAM產品開發提供了一座使用銅互連的現代化邏輯製程晶圓廠。
英飛凌的Sitaram在VLSI研討會上透露，IBM－英飛凌合作團隊採用反應式離子蝕刻來定義磁性隧道連結(MTJ)，而以往一些技術使用的是離子研磨(ion milling)方式，這令很多與會者感到驚訝。合作團隊使用改進的商業噴鍍設備來沈積超薄磁層和絕緣層。約12埃厚的鉑錳磁層與氧化鋁絕緣層必須極其均勻地塗佈在整個200mm晶圓的表面上。
MRAM的一項挑戰是如何在開關一個MTJ時不造成相鄰位的極性‘翻轉’。IBM研發中心磁電小組的資深經理Bill Gallagher表示，IBM－英飛凌合作團隊已經能夠在2%的範圍內控制開關的臨界點。
在與英飛凌合作的同時，IBM還有兩個並行的MRAM開發計畫。一項在日本京都進行的研究工作將一個電晶體與一個MTJ相匹配，瞄準的是嵌入式記憶體應用。這種1T/1MTJ方法對開關速度進行了最佳化。
第二種方法是零電晶體，旨在用MRAM來替代快閃記憶體，瞄準的是獨立的大容量儲存應用。據Gallagher介紹，這種方法又被稱為交叉點架構，它使用字元(word)線和位元(bit)線來控制對單個儲存單元的存取。零電晶體方案能夠堆疊多個MTJ，達到兩倍於1T/1MTJ方法的密度。“我們能夠垂直堆疊2到4個、甚至6到8個MTJ，這取決於我們怎樣利用這種方法，”Gallagher說。但他把這種交叉點技術描述為第二代技術，並稱它不是那麼容易實現的。
作者：來大偉
